半导体管特性图示仪 型号:HAD-T2B
* HAD-T2B半导体管特性图示仪可根据需要测量半导体MOS管,二极管、三极管,可控管等的低频直流参数,最大集电极电流可达50A,
基本满足功率500W以下的半导体管的测试。
* 本仪器还附有高压的测试装置,可对5000V以下的半导体管进行击穿电压及反向漏电流测试,
其测试电流最高灵敏度达到0.5uA/度。
* 本仪器所提供的基极阶梯信号还具有脉冲阶梯输出,因此可扩大测量范围及对二次击穿特性的测量。
* 本仪器带阶梯偏置电压(△VB), -6V~+6V连续可调。特别适宜大功率VMOS管测试。
1. 半导体管特性图示仪集电极电流偏转系数
a) 集电极电流范围(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5进制分21档级,各档误差不大于3%。
b) 二极管电流范围(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5进制分9档,各档误差不大于3%。
c) 集电极电流及二极管电流倍率×0.5,误差不大于10%。
d) 基极电流或基极源电压0.1V/度,误差不大于3%。
2. 集电极电压偏转系数
a) 集电极电压范围(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5进制分21档级,各档误差不大于3%。
b) 二极管电压范围(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5进制分3档级,各档误差不大于10%。
c) 基极电压范围(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5进制分7档级,各档误差不大于3%。
d) 基极电流或基极源电压::0.05V/度,误差不大于3%。
3. 基极阶梯信号
a) 阶梯电流范围(IB): 1uA/度~200mA/度。按1、2、5进制分17档级,各档误差不大于5%。
b) 阶梯电压范围(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5进制分5档级,各档误差不大于5%。
c) 串联电阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各档误差不大于10%。
d) 阶梯波形:分正常(100%)及脉冲二档。脉冲阶梯占空比调节范围为10~40%。
e) 每簇级数:0~10级,连续可调。
f) 阶梯偏置电压(△VB):-6V~+6V,连续可调。
g) 阶梯作用:分重复、关、单次三档级。
h) 阶梯输入:分正常、零电流、零电压三档级。
i) 阶梯极性:分正、负二档。
4. 集电极扫描电压
a) 输出电压与档级: 0~10V 正或负连续可调
0~50V 正或负连续可调
0~50V 正或负连续可调
0~100V 正或负连续可调
0~500V 正或负连续可调
b) 输出电流容量: 0~10V 50A(脉冲阶梯工作状态时)
0~10V 20A(平均值)
0~50V 10A(平均值)
0~100V 5A (平均值)
0~500V 0.5A(平均值)
c) 功耗限制电阻: 0~500KΩ 按1、2、5进制分20档级,各档误差不大于10%。
d) 整流方式: 全波
e) 输出极性: +,-
f) 集电极容性电流; 平衡后不超过2uA(10V档)
g) 集电极漏电流; 平衡后不超过2uA(10V档)
5. 二极管测试装置
a) 输出电压: 0~5000V 正向连续可调
b) 输出电流容量: 最大为5mA
c) 整流方式: 半波
6. 其他
a) 适配器 (测直插式元器件)
高压测试座、三极管测试座、 3根测试线
b) 重量 约30kg。
c) 外形尺寸
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 功耗: 非测试状态时: 约80VA;
最大功率时: 约300VA。
e) 输入电压: 220V±10%;
f) 频率: 50HZ±5%。
g) 示波管: 有效工作面8×10cm。
h) 电磁兼容性
传导干扰应符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
辐射干扰应符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
环境应符合GB/T 6587.1中Ⅱ级仪器的规定,运输试验按2级。
I) 测贴片元器件可选购测试夹具
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